Transistores circuitos – Página 7

H30R1602 El H30R1602 (referencia completa IHW30N160R2) es un transistor de puerta aislada (IGBT) de alta potencia, diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación suave, como en cocinas de inducción COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

H30R1602 TRANSISTOR IGBT ALTA POTENCIA 60A 1600V TO-247

H30SR5 H30SR5 se refiere a unIGBT (transistor bipolar de puerta aislada) de conducción inversa de alta potenciaFabricado por Infineon Technologies , específicamente con el número de pieza oficial IHW30N160R5 .Se trata de un semiconductor especializado diseñado para aplicaciones de alto voltaje y alta corriente, utilizado principalmente en aparatos de cocción por inducción y hornos microondas COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

H30SR5 TRANSISTOR BIPOLAR IGBT 30A 1600V TO-247

HC107 El 74HC107PW es un circuito integrado digital de tecnología CMOS de alta velocidad que contiene dos flip-flops tipo JK con entradas de reset individuales. Es un componente de montaje superficial (SMD) diseñado para aplicaciones de lógica secuencial, como contadores y divisores de frecuencia Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

HC107PW CIRCUITO INTEGRADO DIGITAL DE TECNOLOGIA SMD 2.0-6.0V 14 PINES TSSOP14

HFA15TB60-1 El HFA15TB60-1 es un diodo de recuperación suave ultrarrápida de la serie HEXFRED®, fabricado originalmente por International Rectifier y actualmente disponible a través de marcas como Vishay Semiconductors. Se caracteriza por su alta eficiencia y bajo ruido en sistemas de conmutación de potencia Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

HFA15TB60-1 DIODO DE RECUPERACION ULTRARAPIDO 15A 600V TO-262

ICL8069BCSQ TRANSISTOR METALICO TO-52 1.2V El ICL8069 es una referencia de voltaje con compensación de temperatura de 1,2 V. Utiliza el principio de banda prohibida para lograr una excelente estabilidad y bajo nivel de ruido con corrientes inversas de hasta 50 μA. Sus aplicaciones incluyen convertidores analógico-digitales, convertidores digital-analógicos, detectores de umbral y reguladores de voltaje. Su bajo consumo lo hace especialmente adecuado para equipos alimentados por batería.Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

ICL8069BCSQ CONVERTIDOR ANALOGICO METALICO TO-52

IRF250 30A, 200V, 0.085 Ohm, N-Channel Power MOSFET, IRF250 Datasheet, IRF250

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF250 TRANSISTOR MOSFET

MOSFET

IRF5210 TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA HEXFET CANAL P 40A 100V TO-220

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF5210 MOSFET 40A 100V TO 220

$IRF530N El IRF530N es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado para conmutación rápida y eficiente de cargas, con una capacidad de $100\text{V}$ y entre $14\text{A}$ y $17\text{A}$. Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, reguladores, convertidores y control de motores, encapsulado comúnmente en TO-220AB Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF530N TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA 14A 100V TO-220AB

$IRF630 El IRF630 es un transistor MOSFET de potencia de canal N, encapsulado comúnmente en TO-220, diseñado para conmutación de alta velocidad en aplicaciones de 200V y 9A. Ofrece una baja resistencia en estado activo ($R_{DS(on)}$) de aproximadamente $0.35\Omega$ a $0.4\Omega$ y disipa hasta 100W, siendo ideal para control de motores, convertidores DC-DC y fuentes conmutadas Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF630 TRANSISTOR DE POTENCIA MOFET CANAL N 9A 200V

$IRF630MFP El IRF630MFP es un transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de potencia, de canal N, diseñado principalmente para conmutación de alta velocidad y eficiencia. Fabricado comúnmente por STMicroelectronics, este componente destaca por su bajo consumo de puerta y su alta capacidad de respuesta ante cambios de voltaje ($dv/dt$) Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF630MFP TRANSSITOR MOSFET DE POTENCIAL CANAL N 9A 200V

$IRF640N El IRF640N es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado para conmutación de alta velocidad y amplificación en aplicaciones de media potencia, caracterizado por soportar 200V y 18A. Con encapsulado TO-220, destaca por su baja resistencia de activación ($R_{DS(on)}$ típicamente de $0.15 \Omega$ a $0.18 \Omega$), alta disipación térmica (hasta 125W-150W) y operación robusta Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$

Transistores circuitos

IRF640N TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA CANAL N 18A 200V TO-220

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