IXFK44N50P El IXFK44N50P es unMOSFET de potencia Polar™ HiPerFET™ de canal N de alto rendimiento fabricado por IXYS(ahora parte de Littelfuse) . Está diseñado para aplicaciones de alta potencia, como convertidores CC-CC, accionamientos de motores y sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXFK44N50P TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA HIPERFET CANAL N 44A 500V

IXFK44N80P IXFK44N80P TRANSISTOR METAL OXIDO IXFK44N80P Mosfet de potencia CN 800v 44A rds 190mOhms Diodo Paralelo Y COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXFK44N80P TRANSISTOR MOSFET 44A 800V

IXFX64N50P El IXFX64N50P es unMOSFET de potencia Polar™ HiPerFET™ de modo de enriquecimiento de canal N de alta potencia fabricado por IXYS.(ahora parte de Littelfuse ). Está diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta potencia, como convertidores CC-CC, cargadores de baterías y control de motores Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXFX64N50P TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA CANAL N 64A 500V TO-247

IXGR40N60C2D1 El IXGR40N60C2D1 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta velocidad de la serie HiPerFAST™, fabricado por IXYS. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia exigentes, como inversores, fuentes de alimentación y control de motores Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

Transistores circuitos

IXGR40N60C2D1 TRANSISTOR BIPOLAR IGBT ALTA VELOCIDAD 56A 600V TO-247

IXGR60N60C2 El IXGR60N60C2 es un IGBT de alta potencia de 600 V y 75 A utilizado en fuentes de alimentación conmutadas . Esta es la versión C2, sin diodo integrado comercializado por joisa electronics sac

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXGR60N60C2 IGBT 75A 600V TO-247-3

IXSH35N100A TRANSISTOR IGBT IXSH35N100A Tipo IGBT - Voltaje - Colector - Emisor Ruptura (Máx.) 1000 V Vce(on) (Máx.) a Vge Ic 3,5 V a 15 V 35 A Corriente - Colector. Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR DE LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXSH35N100A TRANSISTOR IGBT 35A 1000V TO-247

IXTH12N100 TRANSISTOR IXTH12N100 · Fabricante: IXYS. IXYS · Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.05 Rds COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR PERU LIMA

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXTH12N100 TRANSISTOR IGBT 12A 1000V N-CH

J6825 Transistor de potencia : El uso más común de "J6825" (a menudo etiquetado como 2SJ6825 ) se refiere a un MOSFET de silicio de canal P o un semiconductor discreto fabricado por empresas como Fairchild y NXP Semiconductors . Normalmente se encuentra en un encapsulado TO-3PL Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

Transistores circuitos

J6825 / 2SJ6825 TRANSISTOR DE POTENCIA ALTO VOLTAGE 15A 1600V

JAN2N3440 El JAN2N3440 es untransistor bipolar de unión NPN de silicio de alto voltajeEl transistor bipolar (BJT) está homologado para aplicaciones militares y de alta fiabilidad según la norma MIL-PRF-19500/368 . Está diseñado principalmente para conmutación y amplificación de alta tensión y baja corriente, como en inversores alimentados por la red eléctrica y reguladores en serie Y ES COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

JAN2N3440 TRANSISTOR METALICO BIPOLAR DE SILICIO 1AMP 250V PNP TO-39

TRANSISTOR MOSFET, accesorio K1536 2SK1536 TO-247, 5A 900V

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

K1536 TRANSISTOR MOSFET

K40T1202 K40T1202. PG-TO-247-3. Maximum Ratings. Parameter. Symbol. Value. Unit. Collector-emitter voltage. VC E. 1200. V. DC collector current (Tj=150°C). TC = 25°C.

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

K40T1202 / IKW40TN120T2 TRANSISTOR IGBT

K40T1202 El K40T1202 es la marca de marcado para el transistor de potencia IKW40N120T2, un IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alto rendimiento fabricado por Infineon Technologies Y SE COMERCIALIZA POR JOISA ELECTRONICS SAC

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

K40T1202 TRANSISTOR DE POTENCIA IGBT BIPOLAR 40A 1200V TO-247-3

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