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2MBI100N-060 MODULO IGBT EN COMPONENTES ELECTRONICOS

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

2MBI100N-060 MODULO IGBT

S/500.00
2MBI200UD-120 IGBT DE PODER

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

2MBI200UD-120 IGBT

S/1,000.00
6DI75A-050 · POWER TRANSISTOR MODULE · Features · Including Free Wheeling Diode · High DC Current Gain · Insulated Type. Aplicaciones. Applications; AC Motor

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

6DI75AH-050 500V 75A MODULO IGBT

7MBI75N-060 El 7MBI75N-060 es un módulo IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) fabricado por Fuji Electric. Está diseñado para aplicaciones de control de potencia, como inversores de motores, servoaccionamientos y sistemas de alimentación ininterrumpida Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

7MBI75N-060 MODULO IGTB TRANSISTOR BIPOLAR 75A 600V 320W

7MBR30SA060-50 MODULO IGBT REPUESTO ELECTRONICO

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

7MBR30SA060-50 MODULO IGBT

7MBR35SB120H-70 7MBR35SB120H-70 Fuji Electric 7MBR35SB120H-70 es unMódulo IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) de la serie S, clasificado para 1200 V y 35 ASe utiliza comúnmente en aplicaciones industriales como inversores para accionamientos de motores y sistemas de alimentación ininterrumpida Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

7MBR35SB120H-70 MODULO IGBT TRANSISTOR BIPOLAR 35A 1200V

7MBR50SB120B-50 7MBR50SB120B Modulo IGBT 600V/50A/PIM 1200V[7MBR50SB120B] · PART#: 7MBR50SB120B · STOCK:5 · MANUFACTURER INFO: FUJI ELECTRIC · QUOTE: 7MBR50SB120B.

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

7MBR50SB120B-50 MODULO IGBT

BSM50GAL120DN2 El BSM50GAL120DN2 es un módulo de potencia IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alto rendimiento fabricado originalmente por Eupec (ahora parte de Infineon Technologies). Se utiliza comúnmente en aplicaciones industriales como controles de motores AC, sistemas UPS y equipos alimentados por batería Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

BSM50GAL120DN2 MODULO IGBT DE POTENCIA 50A 1200V

BSM75GD120DN2 IGBT Silicon Modules ; Configuración: Full Bridge ; Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 1200 V ; Voltaje de saturación colector-emisor: 2.5 V.

Módulos IGTB

BSM75GD120DN2 MODULO IGBT 75A 1200V ECONOPACK 3

-11%
CD431290B ; Cantidad de SCR, diodos. 2 RCS; Voltaje - Fuera de estado. 1,2 kV; Corriente - Estado activo (It (Prom.)) (Máx.) 95 A ; Corriente - En estado (It (RMS))

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

CD431290B MODULO IGBT 90A 1200V SCR

El precio original era: S/550.00.El precio actual es: S/490.00.
IGBT MODULO CM100DY-12H

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

CM100DY-12H MODULO IGBT

Módulos de semiconductores discretos Rectifier Diode Module 1200V 171A

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

DD171N12K-A MODULO 171A 1200V

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