06N80C3 06N80C3 (también conocido por el nombre de pieza SPP06N80C3 o SPD06N80C3 )es un transistor MOSFET de canal NProviene de Infineon Technologies la tecnología CoolMOSTM C3 , ideal para el manejo de alto voltaje y fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) Y SE COMERCIALIZA POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

06N80C3 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 6A 800V TO-220

072-0043 El 072-0043 es un MOSFET de canal N en modo de realce con un paquete TO-220 SCR Y DISTRIBUIDO POR JOISA ELECTRONICS SAC

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

072-0043 TRANSISTOR TIRISTOR TO -220

100N10F7 El 100N10F7 (habitualmente con los prefijos STP, STB, STD o STF) es un transistor de potencia de tipo MOSFET de canal N, fabricado por STMicroelectronics. Utiliza la tecnología STripFET VII DeepGATE (o F7), optimizada para ofrecer una resistencia interna extremadamente baja y una conmutación de alta velocidad y se comercializa en JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

100N10F7 /STP100N10F7 TRANSISTOR DE POTENCIA TIPO MOSFET CANAL N 80A 100V TO-220

10N50C1D 10N50C1D se refiere a unTransistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de canal N de alto voltaje, específicamente el HGTP10N50C1D . Este componente electrónico está diseñado para aplicaciones de alto voltaje y baja disipación, que se encuentran comúnmente en fuentes de alimentación y controladores de motor Y ES COMERCIALIZADO EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

Transistores circuitos

10N50C1D TRANSISTOR BIPOLAR IGBT CANAL N 10A 500V TO-220

11N120CN 11N120CN es unTransistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alto rendimiento, comúnmente identificado como HGTG11N120CN o HGTP11N120CN . Está diseñado para aplicaciones de conmutación de alto voltaje, como controles de motores y fuentes de alimentación, donde la baja pérdida por conducción es fundamental COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

Transistores circuitos

11N120CN TRANSISTOR BIPOLAR IGBT ALTO RENDIMIENTO 42A 1200V TO-247

11N60C3 11N60C3 (también conocido como SPP11N60C3 o SPA11N60C3 )es un transistor MOSFET de canal N, Infineon Technologies . Pertenece a la familia CoolMOSTM C3 , conocida por su alta eficiencia (funciona bien) COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

11N60C3 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 11A 600V TO-220

11N80C3 11N80C3 (sut'inmantaqa SPP11N80C3 icha SPA11N80C3 )es un transistor de potencia MOSFET de canal N, Infineon Technologies . Incorpora la tecnología CoolMOSTM C3 para una alta resistencia al voltaje (800 V) y una conmutación rápida COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

Transistores circuitos

11N80C3 TRANSISTOR DE POTENCIA MOSFET CANAL N 11A 800V TO-220

12CWQ06FN VS- 12CWQ06FN -M3 de rectificadores Schottky de toma central y montaje superficial está diseñada para aplicaciones que requieren baja caída de tensión hacia adelante y un tamaño compacto. La serie de rectificadores Schottky de toma central y montaje en superficie 12CWQ06FN ha sido diseñada para aplicaciones que requieren baja caída hacia adelante y pequeñas huellas en PC. y es distribuido en JOISA ELECTRONICS SAC

Transistores circuitos

12CWQ06FN DIODO RECTIFICADOR SMD 12A 60V

12N60A4D El código 12N60A4D se refiere principalmente a un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión, como fuentes de alimentación conmutadas (SMPS). COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

12N60A4D TRANSISTOR BIPOLAR IGBT CANAL N 54A 600V TO-247

12N60C3D El 12N60C3D (a menudo con prefijos como HGTG, HGTP o HGT1S) es un IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alta potencia y voltaje, diseñado para aplicaciones de conmutación rápida. Combina la alta impedancia de entrada de un MOSFET con las bajas pérdidas de conducción de un transistor bipolar Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

12N60C3D TRANSISTOR IGBT BIPOLAR DE POTENCIA 24A 600V TO-220

1506-50 DIODO REGULADOR AP1506-50K5G-13 Diodes Incorporated Reguladores de voltaje de conmutación SW REG CNV BUCK ASYN 150K 4.5V 22V 5.0V COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

Diodos

1506-50 / AP1506-50 DIODO REGULADOR 3A 22V

180N10N TRANSISTOR MOSFET de canal N Infineon IPP180N10N3G, 100 V, 43 A, 18 mΩ, 71 W, encapsulado TO-220. Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES AG COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

180N10N IPP180N10N3G MOSFET 100V 43A 71W TO-220

Comunícate con nosotros