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2MBI100N-060 MODULO IGBT EN COMPONENTES ELECTRONICOS

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

2MBI100N-060 MODULO IGBT

S/500.00
2MBI200UD-120 IGBT DE PODER

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

2MBI200UD-120 IGBT

S/1,000.00
6DI75A-050 · POWER TRANSISTOR MODULE · Features · Including Free Wheeling Diode · High DC Current Gain · Insulated Type. Aplicaciones. Applications; AC Motor

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

6DI75AH-050 500V 75A MODULO IGBT

7MBI75N-060 El 7MBI75N-060 es un módulo IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) fabricado por Fuji Electric. Está diseñado para aplicaciones de control de potencia, como inversores de motores, servoaccionamientos y sistemas de alimentación ininterrumpida Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

7MBI75N-060 MODULO IGTB TRANSISTOR BIPOLAR 75A 600V 320W

7MBR30SA060-50 MODULO IGBT REPUESTO ELECTRONICO

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

7MBR30SA060-50 MODULO IGBT

7MBR35SB120H-70 7MBR35SB120H-70 Fuji Electric 7MBR35SB120H-70 es unMódulo IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) de la serie S, clasificado para 1200 V y 35 ASe utiliza comúnmente en aplicaciones industriales como inversores para accionamientos de motores y sistemas de alimentación ininterrumpida Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

7MBR35SB120H-70 MODULO IGBT TRANSISTOR BIPOLAR 35A 1200V

7MBR50SB120B-50 7MBR50SB120B Modulo IGBT 600V/50A/PIM 1200V[7MBR50SB120B] · PART#: 7MBR50SB120B · STOCK:5 · MANUFACTURER INFO: FUJI ELECTRIC · QUOTE: 7MBR50SB120B.

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

7MBR50SB120B-50 MODULO IGBT

BSM75GD120DN2 IGBT Silicon Modules ; Configuración: Full Bridge ; Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 1200 V ; Voltaje de saturación colector-emisor: 2.5 V.

Módulos IGTB

BSM75GD120DN2 MODULO IGBT 75A 1200V ECONOPACK 3

-11%
CD431290B ; Cantidad de SCR, diodos. 2 RCS; Voltaje - Fuera de estado. 1,2 kV; Corriente - Estado activo (It (Prom.)) (Máx.) 95 A ; Corriente - En estado (It (RMS))

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

CD431290B MODULO IGBT 90A 1200V SCR

S/490.00
IGBT MODULO CM100DY-12H

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

CM100DY-12H MODULO IGBT

Módulos de semiconductores discretos Rectifier Diode Module 1200V 171A

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

DD171N12K-A MODULO 171A 1200V

FP100R12KT4 FP100R12KT4 El FP100R12KT4 de Infineon Technologies es un módulo IGBT PIM (Power Integrated Module) de alta potencia, diseñado para aplicaciones industriales. Cuenta con una capacidad de y . Está optimizado para inversores, servovariadores y VFDs, ofreciendo excelente rendimiento térmico y alta fiabilidad Y COMERCIALIZADO POR PROVEEDOR JOISA ELECTRONICS SAC LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

FP100R12KT4 MODULO DE POTENCIA IGBT 100AMP 1200V

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