BSM75GD120DN2 IGBT Silicon Modules ; Configuración: Full Bridge ; Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 1200 V ; Voltaje de saturación colector-emisor: 2.5 V.
BSM75GD120DN2 ElBSM75GD120DN2 es unMódulo de potencia IGBT de canal N fabricado por Infineon Technologies.(anteriormente Eupec/Siemens). Es un módulo de puente completo trifásico diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia, como variadores de velocidad e inversores Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU
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BSM75GD120DN2 MODULO IGBT 75A 1200V ECONOPACK 3

  • BSM75GD120DN2  IGBT
  • 75AMP
  • 1200V
  • 520W
  • ECONOPACK 3
  • MARCA INFINEON
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