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IRF330 Transistor IRF330 5.5A, 400V, 1.000 Ohm, Canal N. Power MOSF · FABRICANTE: INTERNATIONAL RECTIFIER · PART# Modelo: IRF330

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF330 MOSFET DE POTENCIA

IRF5210 El IRF5210 es un MOSFET de potencia HEXFET de canal PEstá diseñado para aplicaciones de alta potencia. Este transistor destaca por su resistencia de encendido extremadamente baja y su rápida capacidad de conmutación COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF5210 TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA HEXFET CANAL P 40A 100V TO-220

Potencia, canal P, VDSS = -100V, RDS(on) = 60mO, ID = -40A. Empaque TO-220. ESPECIFICACIONES TECNICAS: Continuous Drain Current, VGS Transistor Mosfet IRF5210 canal P, 100V y 40A, encapsulado TO-220. Ideal para control de cargas de alta corriente, inversores, drivers y fuentes conmutadas DISTRIBUIDO POR JOISA ELECTRONICS SAC

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF5210 MOSFET 40A 100V TO 220

$IRF530N El IRF530N es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado para conmutación rápida y eficiente de cargas, con una capacidad de $100\text{V}$ y entre $14\text{A}$ y $17\text{A}$. Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, reguladores, convertidores y control de motores, encapsulado comúnmente en TO-220AB Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF530N TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA 14A 100V TO-220AB

$IRF630 El IRF630 es un transistor MOSFET de potencia de canal N, encapsulado comúnmente en TO-220, diseñado para conmutación de alta velocidad en aplicaciones de 200V y 9A. Ofrece una baja resistencia en estado activo ($R_{DS(on)}$) de aproximadamente $0.35\Omega$ a $0.4\Omega$ y disipa hasta 100W, siendo ideal para control de motores, convertidores DC-DC y fuentes conmutadas Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF630 TRANSISTOR DE POTENCIA MOFET CANAL N 9A 200V

$IRF630MFP El IRF630MFP es un transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de potencia, de canal N, diseñado principalmente para conmutación de alta velocidad y eficiencia. Fabricado comúnmente por STMicroelectronics, este componente destaca por su bajo consumo de puerta y su alta capacidad de respuesta ante cambios de voltaje ($dv/dt$) Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF630MFP TRANSSITOR MOSFET DE POTENCIAL CANAL N 9A 200V

$IRF640N El IRF640N es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado para conmutación de alta velocidad y amplificación en aplicaciones de media potencia, caracterizado por soportar 200V y 18A. Con encapsulado TO-220, destaca por su baja resistencia de activación ($R_{DS(on)}$ típicamente de $0.15 \Omega$ a $0.18 \Omega$), alta disipación térmica (hasta 125W-150W) y operación robusta Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF640N TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA CANAL N 18A 200V TO-220

IRF820 El IRF820 es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de alta velocidad y alto voltaje. Es ampliamente utilizado en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), controladores de motores y convertidores de corriente Y SE COMERCIALIZA POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF820 MOSFET DE POTENCIA CANAL N ALTA VELOCIDAD 2.5A 500V TO-220

$IRF840 El IRF840 es un transistor MOSFET de potencia de canal N (500V, 8A) diseñado para conmutación rápida y alta eficiencia en aplicaciones como fuentes conmutadas, inversores y controladores de motores. Cuenta con un encapsulado TO-220, baja carga de compuerta ($41 \text{nC}$ típ.) y una resistencia en estado activo ($R_{DS(on)}$) de $0.85 \Omega$ Y ES COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$

Transistores circuitos

IRF840 TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA CANAL N 8A 500V TO-220

IRF840FI El IRF840FI es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión.La principal diferencia entre el modelo estándar (IRF840) y la variante FI (Full Isolation) es su encapsulado; el IRF840FI utiliza un paquete ISOWATT220 totalmente aislado, lo que permite montarlo directamente en un disipador de calor sin necesidad de aislantes externos (como láminas de mica) COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF840FI REANSISTROR MOSFET DE POTENCIA CANAL N 4.5A 500V TO-220F

IRF9530N El IRF9530N es un transistor de potencia MOSFET de canal P diseñado por International Rectifier (ahora parte de Infineon) para aplicaciones de conmutación rápida y eficiente. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación conmutadas, controladores de motores y circuitos de gestión de energía Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF9530N TRANSISTOR DE POTENCIA MOSFET CANAL P -14A -100V TO-220

$IRF9540N El IRF9540N es un transistor MOSFET de potencia de canal P de la marca International Rectifier (Infineon), diseñado para conmutación rápida y eficiente en aplicaciones de alta corriente, encapsulado en TO-220AB. Maneja hasta -100V, con una corriente de drenaje continua de -23A a 25°C. Su baja resistencia en estado encendido ($R_{DS(on)} = 0.117\Omega$) y robustez lo hacen ideal para conversores DC-DC, inversores y control de motores. Y SE COMERCIALIZA POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IRF9540N TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA CANAL P -23A -100V TO-220

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