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BM-63 C20

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

BM-63 C20 INTERRUPTOR TERMOMAGNETICO

BOQUILLA PARA EXTRACTOR DELTA DISTRIBUIDO POR JOISA ELECTRONICS SAC

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

BOQUILLA PARA EXTRACTOR DELTA

BR-2/3A BATERIA DE LITHIUM

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

BR-2/3A BATERIA LITHIUM

S/46.00
-11%
BATERIA BR-2/3AGCT4A

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

BR-2/3AGCT4A BATERIA

El precio original era: S/280.00.El precio actual es: S/250.00.
Panasonic - BR-AGCF2W - Batería de litio - 6V - A98L-0031-0011 - Batería PLC de 2200 mAh

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

BR-AGCF2W BATERIA DE LITIO PLC 6V CON PLUG

Tensión de trabajo, 3V ; Tamaño de pila/batería, C, R14 ; Medidas interiores, 26 x 50mm ; Capacidad, 5000mAh ; Temperatura de trabajo, -40...85°C

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

BR-C BATERIA DE LITHIUM 3V 5000MAH

BR256 El BR256 es un puente rectificador monofásico de silicio diseñado para convertir corriente alterna (CA) en corriente continua (CC). Se caracteriza por manejar corrientes de hasta 25 Amperios y voltajes de hasta 600 Voltios Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

BR256 PUENTE RECTIFICADOR MONOFASICO SILICIO 25A 600V

BR6 SMD Marking: BR6. Part #STTH1R06U BR6 diodo GEN PURP 600V 1A SMB EN JOISA ELECTRONICS SAC

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

BR6 SMD STTH1R06U DIODO 1AMP 600V

BSM50GAL120DN2 El BSM50GAL120DN2 es un módulo de potencia IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alto rendimiento fabricado originalmente por Eupec (ahora parte de Infineon Technologies). Se utiliza comúnmente en aplicaciones industriales como controles de motores AC, sistemas UPS y equipos alimentados por batería Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

BSM50GAL120DN2 MODULO IGBT DE POTENCIA 50A 1200V

Configuración: Hex ; Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 1200 V ; Voltaje de saturación colector-emisor: 2.5 V ; Colector de Corriente Continua a 25 C: 72 A. Tipo de producto: IGBT Modules Longitud: 107.5 mm BSM50GD120DN2 INFINEON

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

BSM50GS120DN2 MODULO IGBT

BSM75GD120DN2 IGBT Silicon Modules ; Configuración: Full Bridge ; Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 1200 V ; Voltaje de saturación colector-emisor: 2.5 V.

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

BSM75GD120DN2 MODULO IGBT 75A 1200V ECONOPACK 3

BSP220 El BSP220,115 es un transistor D-MOS vertical de canal P con modo de mejora y carcasa miniatura. Está diseñado para su uso en relés, alta velocidad y líneas mas informacion en JOISA ELECTRONICS SAC

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

BSP220 TRANSISTOR P-MOSFET 200V 225mA 1.5W

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