IR – JOISA ELECTRONICS

410403-24AW El código 410403-24AW corresponde a un módulo de tiristor / SCR (Rectificador Controlado de Silicio) de grado industrial. Este dispositivo semiconductor de estado sólido actúa como un interruptor electrónico robusto diseñado para controlar y regular el flujo de grandes bloques de energía eléctrica en aplicaciones de control de motores, regulación de velocidad y conversión de energía AC y se comercializa en JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

410403-24AW MODULO DE TIRISTOR / SCR 30A 800V TO-240AA

El 50HFR120 es un diodo rectificador de baja potencia con encapsulado tipo DO5 con polaridad ánodo a tornillo y diseñado para su uso en cargadores y distribuido por joisa electronics sac

Diodos

50HFR120 DIODO RECTIFICADOR 50A 1200V ANODO CATODO 50HF120 TIPO TORNILLO

$El 85HFR40 El 85HFR40 (o VS-85HFR40) es un diodo rectificador de potencia de recuperación estándar diseñado para soportar corrientes elevadas en entornos industriales. Este componente destaca por su montaje tipo espárrago o tornillo (estilo chasis), el cual facilita una disipación de calor muy eficiente sobre un disipador.A continuación, se detallan sus características técnicas principales y aplicaciones más comunes:Especificaciones Técnicas PrincipalesCorriente Directa Nominal ($I_{F(AV)}$): 85 A (Amperios).Tensión Inversa de Pico Repetitiva ($V_{RRM}$): 400 V (Voltios) ANODO POSITIVO y se comercializa en JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

85HF40 DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA DE RECUPERACION 85A 400V DO-203AB

Diodo rectificador

85HF40 DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA DE RECUPERACION TORNILLO 85A 400V DO-203AB

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

85HFR40 DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA DE RECUPERACION 85A 400V DO-203AB

G7R313U El código G7R313U corresponde al transistor IGBT de número de parte completo IRG7R313U, fabricado originalmente por International Rectifier (ahora Infineon).Aunque en muchos lados comerciales se le asocia de forma general a rangos cercanos como los 30A o 400V, sus especificaciones técnicas reales y exactas según su hoja de datos (Datasheet) son las siguientes:Características PrincipalesVoltaje Máximo (Vce): 330V (Voltaje Colector-Emisor).Corriente Máxima (Ic): 40A a una temperatura de 25°C (baja a 20A cuando trabaja continuo a 100°C). y se comercializa en JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

G7R313U TRANSISTOR IGBT CANAL N SUPERFICIAL 40A 330V TO-252

$IRFB3307 El IRFB3307 es un MOSFET de potencia de canal N de alta eficiencia fabricado por Infineon Technologies (anteriormente International Rectifier). Está diseñado para conmutación de alta velocidad y aplicaciones que requieren un manejo de corriente elevado con baja resistencia en conducción. Infineon Technologies +2Especificaciones técnicas principalesVoltaje Drenaje-Fuente (\[V_{DSS}\]): 75 VCorriente Continua de Drenaje (\[I_{D}\]): 120 A a 130 A y se comercializa en JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$