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COMPONENTES ELECTRÓNICOS

ISL6534CRZ REGULADOR SUPERFICIAL QFN32 CONTROLADOR 32PINES

IXBH40N160 El IXBH40N160 es un transistor BIMOSFET™ de canal N de alto voltaje fabricado por IXYS (ahora parte de Littelfuse). Este componente combina las ventajas de un MOSFET y un IGBT, ofreciendo una alta capacidad de bloqueo de tensión y una conducción eficiente Y ES COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXBH40N160 TRANSISTOR BIMOSFET CANAL N ALTO VOLTAJE 33A 1600V TO-247

IXDI614CI IXYS IXDI614CI | IC: driver; low-side,controladores de puertas; TO220-5; -14÷14A DISTRIBUIDO POR JOISA ELECTRONICS SAC

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXDI614CI CONTROLADOR MOSFET 14AMP 35V ULTRAFAST

IXDN602SIATR El IXDN602SIATR es unCircuito integrado controlador de puerta dual de alta velocidad y lado bajo fabricado por IXYS Integrated Circuits.(ahora parte de Littelfuse ). Está diseñado para controlar eficientemente MOSFET e IGBT de potencia en aplicaciones de alta frecuencia, como fuentes de alimentación conmutadas y controles de motores. Y ES COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXDN602SIATR CIRCUITO INTEGRADO CONTROLADOR DUAL CMOS 2A SOIC-8

IXFK44N50P IXFK44N50P. TRANSISTOR MOSFET, N-CH, 500 V, 44 A, TO-264. CUMPLE CON ROHS: SÍ. Fecha y lote. IXYS SEMICONDUCTOR. IXYS SEMICONDUCTOR Y DISTRIBUIDO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXFK44N50P TRANSISTOR MOSFET 44A 500V TO-264

IXFK44N50P El IXFK44N50P es unMOSFET de potencia Polar™ HiPerFET™ de canal N de alto rendimiento fabricado por IXYS(ahora parte de Littelfuse) . Está diseñado para aplicaciones de alta potencia, como convertidores CC-CC, accionamientos de motores y sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS) Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXFK44N50P TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA HIPERFET CANAL N 44A 500V

IXFK44N80P IXFK44N80P TRANSISTOR METAL OXIDO IXFK44N80P Mosfet de potencia CN 800v 44A rds 190mOhms Diodo Paralelo Y COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXFK44N80P TRANSISTOR MOSFET 44A 800V

IXFX64N50P El IXFX64N50P es unMOSFET de potencia Polar™ HiPerFET™ de modo de enriquecimiento de canal N de alta potencia fabricado por IXYS.(ahora parte de Littelfuse ). Está diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta potencia, como convertidores CC-CC, cargadores de baterías y control de motores Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXFX64N50P TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA CANAL N 64A 500V TO-247

IXGR40N60C2D1 El IXGR40N60C2D1 es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alta velocidad de la serie HiPerFAST™, fabricado por IXYS. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia exigentes, como inversores, fuentes de alimentación y control de motores Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

Transistores circuitos

IXGR40N60C2D1 TRANSISTOR BIPOLAR IGBT ALTA VELOCIDAD 56A 600V TO-247

IXGR60N60C2 El IXGR60N60C2 es un IGBT de alta potencia de 600 V y 75 A utilizado en fuentes de alimentación conmutadas . Esta es la versión C2, sin diodo integrado comercializado por joisa electronics sac

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXGR60N60C2 IGBT 75A 600V TO-247-3

IXSH35N100A TRANSISTOR IGBT IXSH35N100A Tipo IGBT - Voltaje - Colector - Emisor Ruptura (Máx.) 1000 V Vce(on) (Máx.) a Vge Ic 3,5 V a 15 V 35 A Corriente - Colector. Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR DE LIMA PERU

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXSH35N100A TRANSISTOR IGBT 35A 1000V TO-247

IXTH12N100 TRANSISTOR IXTH12N100 · Fabricante: IXYS. IXYS · Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.05 Rds COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR PERU LIMA

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

IXTH12N100 TRANSISTOR IGBT 12A 1000V N-CH

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