$IRF630MFP El IRF630MFP es un transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de potencia, de canal N, diseñado principalmente para conmutación de alta velocidad y eficiencia. Fabricado comúnmente por STMicroelectronics, este componente destaca por su bajo consumo de puerta y su alta capacidad de respuesta ante cambios de voltaje (\(dv/dt\)) Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$

IRF640N El IRF640N es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado para conmutación de alta velocidad y amplificación en aplicaciones de media potencia, caracterizado por soportar 200V y 18A. Con encapsulado TO-220, destaca por su baja resistencia de activación (\(R_{DS(on)}\) típicamente de \(0.15 \Omega\) a \(0.18 \Omega\)), alta disipación térmica (hasta 125W-150W) y operación robusta Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

IRF640N TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA CANAL N 18A 200V TO-220

IRF640N TRANSISTOR MOSFET
18AMP
200V
0.18 OHM
150W
TO-220
MARCA IR

Categories: Transistores circuitos, COMPONENTES ELECTRÓNICOS

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