$IRF640N El IRF640N es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado para conmutación de alta velocidad y amplificación en aplicaciones de media potencia, caracterizado por soportar 200V y 18A. Con encapsulado TO-220, destaca por su baja resistencia de activación (\(R_{DS(on)}\) típicamente de \(0.15 \Omega\) a \(0.18 \Omega\)), alta disipación térmica (hasta 125W-150W) y operación robusta Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$
$IRF630 El IRF630 es un transistor MOSFET de potencia de canal N, encapsulado comúnmente en TO-220, diseñado para conmutación de alta velocidad en aplicaciones de 200V y 9A. Ofrece una baja resistencia en estado activo (\(R_{DS(on)}\)) de aproximadamente \(0.35\Omega\) a \(0.4\Omega\) y disipa hasta 100W, siendo ideal para control de motores, convertidores DC-DC y fuentes conmutadas Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU$

IRF630MFP El IRF630MFP es un transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de potencia, de canal N, diseñado principalmente para conmutación de alta velocidad y eficiencia. Fabricado comúnmente por STMicroelectronics, este componente destaca por su bajo consumo de puerta y su alta capacidad de respuesta ante cambios de voltaje (\(dv/dt\)) Y SE COMERCIALIZA EN JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

IRF630MFP TRANSSITOR MOSFET DE POTENCIAL CANAL N 9A 200V

IRF630MFP MOSFET
9AMP
200V
0.4 OHM
30W
TO-220FP

Categories: COMPONENTES ELECTRÓNICOS, Transistores circuitos

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