IXFX64N50P El IXFX64N50P es unMOSFET de potencia Polar™ HiPerFET™ de modo de enriquecimiento de canal N de alta potencia fabricado por IXYS.(ahora parte de Littelfuse ). Está diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta potencia, como convertidores CC-CC, cargadores de baterías y control de motores Y COMERCIALIZADO POR JOISA ELECTRONICS SAC PROVEEDOR LIMA PERU

IXFX64N50P TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA CANAL N 64A 500V TO-247

  • IXFX64N50P MOSFET
  • 64AMP
  • 500V
  • 830W
  • TO-247
  • MARCA IXYS
Categories: , ,

Related products

Módulos de semiconductores discretos Rectifier Diode Module 1200V 171A

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

DD171N12K-A MODULO 171A 1200V

-7%

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

LS14250 BATERIA AXIAL 3.6V

S/40.00
-11%
CD431290B ; Cantidad de SCR, diodos. 2 RCS; Voltaje - Fuera de estado. 1,2 kV; Corriente - Estado activo (It (Prom.)) (Máx.) 95 A ; Corriente - En estado (It (RMS))

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

CD431290B MODULO IGBT 90A 1200V SCR

S/490.00
LM6134BIMX LM6134BIMX/NOPB - Amplificador operacional cuádruple de baja potencia, de 24 V y 10 MHz en un paquete de SOIC (D) con 14 pasadores

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

LM6134BIMX AMPLIFICADOR OPERACIONAL SOIC-14

-33%

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

CR2450N Batería 3v

S/12.00

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

LS14250 BATERIA 3.6V

S/35.00

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

Capacitor Bel MRT 160AMMO

S/20.00

COMPONENTES ELECTRÓNICOS

Fusibles ETI

S/20.00
Comunícate con nosotros