Potencia, canal P, VDSS = -100V, RDS(on) = 60mO, ID = -40A. Empaque TO-220. ESPECIFICACIONES TECNICAS: Continuous Drain Current, VGS Transistor Mosfet IRF5210 canal P, 100V y 40A, encapsulado TO-220. Ideal para control de cargas de alta corriente, inversores, drivers y fuentes conmutadas DISTRIBUIDO POR JOISA ELECTRONICS SAC
IRF5210 Mosfet HEXFET de Potencia, canal P, VDSS = -100V, RDS(on) = 60mO, ID = -40A. Empaque TO-220. ESPECIFICACIONES TECNICAS: Continuous Drain Current, VGS Transistor Mosfet IRF5210 canal P, 100V y 40A, encapsulado TO-220. Ideal para control de cargas de alta corriente, inversores, drivers y fuentes conmutadas DISTRIBUIDO POR JOISA ELECTRONICS SAC
Potencia, canal P, VDSS = -100V, RDS(on) = 60mO, ID = -40A. Empaque TO-220. ESPECIFICACIONES TECNICAS: Continuous Drain Current, VGS Transistor Mosfet IRF5210 canal P, 100V y 40A, encapsulado TO-220. Ideal para control de cargas de alta corriente, inversores, drivers y fuentes conmutadas DISTRIBUIDO POR JOISA ELECTRONICS SAC
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IRF5210 MOSFET 40A 100V TO 220

  • IRF5210 TRANSISTOR MOSFET
  • 40A
  • 100V
  • TO 220
  • CANAL P
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